GD50FSX65L2S

всего в наличии 24 шт
Количество Цена
1 7 853 ₽
5 7 463 ₽
10 6 913 ₽
50 6 803 ₽
100 6 667 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1000 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD50FSX65L2S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FSX65L2S от 6667 рублей в наличии 24 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD50FSX65L2S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Корпус
    L2.1
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    650В
  • Технология
    Trench FS IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    50А
  • Ток коллектора в импульсе
    100А
  • Топология
    3-фазный мост IGBT выход OE
  • Топология
    термистор NTC
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Вес
    24g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация