GD35PJY120L3S

всего в наличии 16 шт
Количество Цена
1 14 354 ₽
4 12 673 ₽
16 11 388 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1708 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD35PJY120L3S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S от 11388 рублей в наличии 16 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD35PJY120L3S описание и характеристики

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора в импульсе
    70A
  • Обратное напряжение макс.
    1.2kV
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Конструкция диода
    diode/transistor
  • Корпус
    L3.0
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20V
  • Ток коллектора
    35A
  • Топология
    boost chopper
  • Топология
    IGBT three-phase bridge OE output
  • Топология
    NTC thermistor
  • Топология
    three-phase diode bridge
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Механический монтаж
    screw
  • Вес
    43.57g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация