GD30PJX65F1S

всего в наличии 25 шт
Количество Цена
1 9 401 ₽
5 9 044 ₽
10 8 412 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1261 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD30PJX65F1S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD30PJX65F1S от 8412 рублей в наличии 25 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD30PJX65F1S описание и характеристики

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 30А

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Корпус
    F1.1
  • Конструкция диода
    диод/транзистор
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    650В
  • Технология
    Trench FS IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    30А
  • Ток коллектора в импульсе
    60А
  • Топология
    3-фазный диодный мост
  • Топология
    3-фазный мост IGBT выход OE
  • Топология
    boost chopper
  • Топология
    термистор NTC
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Вес
    26g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация