GD200HFY120C8S

всего в наличии 23 шт
Количество Цена ₽/шт
1 17 690
5 16 806
10 15 571
50 15 322
Бесплатная доставка
и получите
+2298 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD200HFY120C8S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
Купить GD200HFY120C8S от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GD200HFY120C8S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    коннекторы FASTON
  • Корпус
    C8 48mm
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Топология
    полумост IGBT
  • Ток коллектора
    200А
  • Ток коллектора в импульсе
    400А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    200g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация