GD200HFY120C8S

всего в наличии 11 шт
Количество Цена
1 17 093 ₽
5 16 436 ₽
10 15 171 ₽
50 15 009 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+2251 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD200HFY120C8S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFY120C8S от 15009 рублей в наличии 11 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD200HFY120C8S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Корпус
    C8 48mm
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Ток коллектора
    200А
  • Ток коллектора в импульсе
    400А
  • Топология
    полумост IGBT
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    коннекторы FASTON
  • Вес
    200g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация