GD200HFY120C2S

всего в наличии 10 шт
Количество Цена
1 22 858 ₽
5 21 979 ₽
10 20 284 ₽
50 20 068 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3010 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD200HFY120C2S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFY120C2S от 20068 рублей в наличии 10 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD200HFY120C2S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Корпус
    C2 62mm
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    200А
  • Ток коллектора в импульсе
    400А
  • Топология
    полумост IGBT
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    коннекторы FASTON
  • Вес
    300g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация