GD200HFX65C2S

всего в наличии 13 шт
Количество Цена
1 20 449 ₽
5 19 427 ₽
10 17 999 ₽
50 17 710 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+2656 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD200HFX65C2S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFX65C2S от 17710 рублей в наличии 13 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD200HFX65C2S описание и характеристики

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • Тип модуля
    IGBT
  • Обратное напряжение макс.
    650V
  • Электрический монтаж
    FASTON connectors
  • Электрический монтаж
    screw
  • Конструкция диода
    transistor/transistor
  • Корпус
    C2 62mm
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20V
  • Ток коллектора
    200A
  • Топология
    IGBT half-bridge
  • Технология
    Trench FS IGBT
  • Механический монтаж
    screw
  • Ток коллектора в импульсе
    400A
  • Вес
    300g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация