GD150HHU120C6S

всего в наличии 5 шт
Количество Цена
1 34 582 ₽
5 33 254 ₽
10 30 691 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4603 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD150HHU120C6S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HHU120C6S от 30691 рублей в наличии 5 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD150HHU120C6S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 150А

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Корпус
    C6 62mm
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    NPT Ultra Fast IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    150А
  • Ток коллектора в импульсе
    300А
  • Топология
    Н мост
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Вес
    300g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация