GD150HFY120C1S

всего в наличии 3 шт
Количество Цена
1 12 371 ₽
5 11 895 ₽
10 10 978 ₽
50 10 860 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1629 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD150HFY120C1S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFY120C1S от 10860 рублей в наличии 3 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD150HFY120C1S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Механический монтаж
    винтами
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Корпус
    C1 34mm
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    150А
  • Ток коллектора в импульсе
    300А
  • Топология
    полумост IGBT
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    коннекторы FASTON
  • Вес
    150g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация