GD1200HFY120C3S

всего в наличии 8 шт
Количество Цена ₽/шт
1 104 697
5 103 742
Бесплатная доставка
и получите
+15561 балл
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD1200HFY120C3S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
Купить GD1200HFY120C3S от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GD1200HFY120C3S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Механический монтаж
    винтами
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Корпус
    C3 130mm
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Топология
    полумост IGBT
  • Ток коллектора
    1200А
  • Ток коллектора в импульсе
    2400А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    1500g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация