GD10PJY120L2S

всего в наличии 24 шт
Количество Цена ₽/шт
1 6 794
5 6 453
10 5 979
50 5 884
100 5 769
Бесплатная доставка
и получите
+865 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD10PJY120L2S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
Купить GD10PJY120L2S от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GD10PJY120L2S описание и характеристики

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • Корпус
    L2.2
  • Топология
    boost chopper
  • Топология
    IGBT three-phase bridge OE output
  • Топология
    NTC thermistor
  • Топология
    three-phase diode bridge
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Механический монтаж
    screw
  • Ток коллектора в импульсе
    20A
  • Обратное напряжение макс.
    1.2kV
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    diode/transistor
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20V
  • Ток коллектора
    10A
  • Вес
    24g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация