GD10PJY120F4S

всего в наличии 25 шт
Количество Цена
1 7 846 ₽
5 7 508 ₽
10 7 038 ₽
50 6 943 ₽
100 6 916 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1037 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD10PJY120F4S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S от 6916 рублей в наличии 25 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD10PJY120F4S описание и характеристики

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • Корпус
    F4.1
  • Топология
    boost chopper
  • Топология
    IGBT three-phase bridge OE output
  • Топология
    NTC thermistor
  • Топология
    three-phase diode bridge
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Механический монтаж
    screw
  • Ток коллектора в импульсе
    20A
  • Обратное напряжение макс.
    1.2kV
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    diode/transistor
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20V
  • Ток коллектора
    10A
  • Вес
    28g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация