GD10PJY120F1S

всего в наличии 17 шт
Количество Цена
1 7 241 ₽
5 6 962 ₽
10 6 427 ₽
50 6 357 ₽
100 6 173 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+925 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD10PJY120F1S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S от 6173 рублей в наличии 17 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD10PJY120F1S описание и характеристики

Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Конструкция диода
    диод/транзистор
  • Корпус
    F1.1
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    1200В
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Тип модуля
    IGBT
  • Ток коллектора
    10А
  • Ток коллектора в импульсе
    20А
  • Топология
    3-фазный диодный мост
  • Топология
    3-фазный мост IGBT выход OE
  • Топология
    boost chopper
  • Топология
    термистор NTC
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Вес
    26g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация