GD100HFY120C1S

всего в наличии 10 шт
Количество Цена
1 11 515 ₽
5 11 072 ₽
10 10 218 ₽
50 10 109 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1516 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4 недели
    Цена включает НДС
  • Артикул
    GD100HFY120C1S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFY120C1S от 10109 рублей в наличии 10 шт производства STARPOWER SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GD100HFY120C1S описание и характеристики

Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • Корпус
    C1 34mm
  • Топология
    IGBT half-bridge
  • Технология
    Advanced Trench FS IGBT
  • Механический монтаж
    screw
  • Ток коллектора в импульсе
    200A
  • Обратное напряжение макс.
    1.2kV
  • Электрический монтаж
    FASTON connectors
  • Электрический монтаж
    screw
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    transistor/transistor
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20V
  • Ток коллектора
    100A
  • Вес
    150g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация