GD1000HFX170P2S

GD1000HFX170P2S
GD1000HFX170P2S
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 8
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    GD1000HFX170P2S
  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR
Вы можете запросить у нас любое количество GD1000HFX170P2S, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GD1000HFX170P2S описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

  • Производитель
    STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Корпус
    P2.0
  • Механический монтаж
    винтами
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Обратное напряжение макс.
    1700В
  • Технология
    Trench FS IGBT
  • Ток коллектора
    1000А
  • Ток коллектора в импульсе
    2000А
  • Топология
    полумост IGBT
  • Электрический монтаж
    винтами
  • Вес
    1210g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text