GAN190-650FBEZ

всего в наличии 1949 шт
Количество Цена ₽/шт
1 1 120
10 941
100 761
500 676
1000 579
Бесплатная доставка
и получите
+86 баллов
Купить GAN190-650FBEZ от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GAN190-650FBEZ описание и характеристики

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 11.5A; Idm: 20.5A

  • Производитель
    NEXPERIA
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DFN5060-5
  • Рассеиваемая мощность
    125W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    GaN
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    Kelvin terminal
  • Заряд затвора
    2.8nC
  • Ток стока
    11.5A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    650V
  • Тип транзистора
    N-JFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0.19Ω
  • Вид транзистора
    HEMT
  • Ток стока в импульсном режиме
    20.5A
  • Gate-source voltage
    -1.4...7V
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация