GAN080-650EBEZ

GAN080-650EBEZ

всего в наличии 1429 шт

Количество	Цена
1	2 620 ₽
10	1 804 ₽
100	1 341 ₽
500	1 209 ₽
2500	864 ₽

+

-

В корзину

Бесплатная доставка

и получите

+129 баллов

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки 4 недели
Цена включает НДС
Артикул
GAN080-650EBEZ
Производитель
NEXPERIA

Купить GAN080-650EBEZ от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastecard и МИР

Visa, Mastecard и МИР

можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

GAN080-650EBEZ описание и характеристики

Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 29A; Idm: 58A; 240W

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,8А; 0,2Вт; SOT23

+23400 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,21А; 0,3Вт; SOT23

+8235 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; SOT23-3

+1905 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

+2610 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,2Вт; SOT23

+5670 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,19А; Idm: 1,2А; 830мВт

+7290 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; 1,2Вт

+10260 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+2993 балла

Подробнее

2N7002DWH6327XTSA1

2N7002DWH6327XTSA1

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT-363

+15660 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23

+43875 баллов

Подробнее

2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT23

+6750 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

+6750 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text