GAN041-650WSBQ

всего в наличии 355 шт
Количество Цена
1 4 450 ₽
10 4 056 ₽
25 3 999 ₽
50 3 902 ₽
100 3 834 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+575 баллов
GAN041-650WSBQ от 3834 рублей в наличии 355 шт производства NEXPERIA, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

GAN041-650WSBQ описание и характеристики

Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В

  • Производитель
    NEXPERIA
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    SOT429
  • Корпус
    TO247
  • Рассеиваемая мощность
    187Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    туба
  • Технология
    GaN
  • Заряд затвора
    22нC
  • Ток стока
    33,4А
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Тип транзистора
    N-JFET/N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    35мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вид транзистора
    HEMT
  • Вид транзистора
    каскодный
  • Ток стока в импульсном режиме
    240А
  • Вес
    3g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация