G2R1000MT17D

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+160 баллов
  • Условия
    Минимально 4 и кратно 4
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    G2R1000MT17D
  • Производитель
    GeneSiC SEMICONDUCTOR
Вы можете запросить у нас любое количество G2R1000MT17D, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

G2R1000MT17D описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4А; Idm: 8А; 53Вт; TO247-3

  • Напряжение сток-исток
    1,7кВ
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
  • Технология
    SiC
  • Технология
    G2R™
  • Рассеиваемая мощность
    53Вт
  • Полярность
    полевой
  • Корпус
    TO247-3
  • Монтаж
    THT
  • Производитель
    GeneSiC Semiconductor Inc.
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вид упаковки
    туба
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1000мОм
  • Напряжение затвор-исток
    -5...20В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    6.085g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация