G2K2P10S2E

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 316 шт
Количество Цена
1 1 546 ₽
10 287 ₽
100 117 ₽
1000 82 ₽
4000 62 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+9 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G2K2P10S2E-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G2K2P10S2E от 62 рублей в наличии 316 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G2K2P10S2E-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -100V; -3.5A; 3.1W; SOP8

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOP8
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    3,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    23нC
  • Ток стока
    -3,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -100В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация