Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

G12P10TE

G12P10TE

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 6 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 255
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 6 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

G12P10TE-GFS

Производитель

Купить G12P10TE от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

G12P10TE-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 44.6W; TO220

Производитель GOFORD SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Монтаж THT
Выбрано: Показать
Корпус TO220
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 44,6Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология Trench
Выбрано: Показать
Заряд затвора 33нC
Выбрано: Показать
Ток стока -12А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -100В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20В
Выбрано: Показать
Вес 1g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти