Каталог товаров

FQD19N10TM

FQD19N10TM
FQD19N10TM
  • FQD19N10TM
  • FQD19N10TM

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 777 шт
Количество Цена ₽ /шт
33 152
78 127
311 101
Добавить 33 шт. на ₽
В корзину
От 33 шт.
Доступно 777 шт.

Условия

  • Минимально 33 и кратно 33
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

FQD19N10TM

Производитель

Купить FQD19N10TM от 33 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

FQD19N10TM описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,8А; Idm: 62,4А; 50Вт; DPAK

Производитель ONSEMI
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус DPAK
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 50Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология QFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 25нC
Выбрано: Показать
Ток стока 9,8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 100В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,1Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±25В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 62,4А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±25V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти