FQD13N10TM

FQD13N10TM
FQD13N10TM
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FQD13N10TM
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 971.96 KB
Вы можете запросить у нас любое количество FQD13N10TM, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FQD13N10TM описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 6,3А; 40Вт; DPAK

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    DPAK
  • Рассеиваемая мощность
    40Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Технология
    QFET®
  • Заряд затвора
    16нC
  • Ток стока
    6,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    180мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±25В
  • Вес
    0.362g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:
C4AF9EW5420T3BK
C4AF9EW5420T3BK
Подробнее
AT04-12PB-P031
AT04-12PB-P031
Подробнее
UCB1V330MCL1GS
UCB1V330MCL1GS
Подробнее
PDTA114EU,135
PDTA114EU,135
Подробнее
R75MR418050L3J
R75MR418050L3J
Подробнее

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text