Каталог товаров

FQB8N60CTM

FQB8N60CTM
FQB8N60CTM
  • FQB8N60CTM
  • FQB8N60CTM

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

FQB8N60CTM

Производитель

Купить FQB8N60CTM от 10 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

FQB8N60CTM описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4,6А; Idm: 30А; 147Вт; D2PAK

Производитель ONSEMI
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Технология QFET®
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 600В
Выбрано: Показать
Ток стока 4,6А
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 30А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 147Вт
Выбрано: Показать
Корпус D2PAK
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 1,2Ом
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 36нC
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Вес 1.5g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти