FQB6N80TM

FQB6N80TM
FQB6N80TM
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FQB6N80TM
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 920.9 KB
Вы можете запросить у нас любое количество FQB6N80TM, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FQB6N80TM описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,67А; 158Вт; D2PAK

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    158Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    QFET®
  • Заряд затвора
    31нC
  • Ток стока
    3,67А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    800В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,95Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±30В
  • Вес
    1.78g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:
ZP120.60.75JH TM ABS
ZP120.60.75JH TM ABS
Подробнее
DMC3028LSD-13
DMC3028LSD-13
Подробнее
ZP60.40.30SJP TM PC
ZP60.40.30SJP TM PC
Подробнее
SJ-S-112DMH
SJ-S-112DMH
Подробнее
FQB33N10TM
FQB33N10TM
Подробнее

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text