Каталог товаров

FQB50N06TM

FQB50N06TM
FQB50N06TM
  • FQB50N06TM
  • FQB50N06TM

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

FQB50N06TM

Производитель

Купить FQB50N06TM от 551 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

FQB50N06TM описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35,4А; Idm: 200А; 120Вт; D2PAK

Производитель ONSEMI
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус D2PAK
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 120Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология QFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 41нC
Выбрано: Показать
Ток стока 35,4А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 60В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 22мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±25В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 200А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±25V
Выбрано: Показать
Вес 1.5g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти