FQB50N06TM

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+49 баллов
  • Условия
    Минимально 551 и кратно 551
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FQB50N06TM
  • Производитель
    ONSEMI
Вы можете запросить у нас любое количество FQB50N06TM, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FQB50N06TM описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35,4А; Idm: 200А; 120Вт; D2PAK

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    120Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    QFET®
  • Заряд затвора
    41нC
  • Ток стока
    35,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    22мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±25В
  • Ток стока в импульсном режиме
    200А
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация