Каталог товаров

FQB11P06TM

FQB11P06TM
FQB11P06TM
  • FQB11P06TM
  • FQB11P06TM

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

FQB11P06TM

Производитель

Купить FQB11P06TM от 5 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

FQB11P06TM описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,05А; Idm: -45,6А; 53Вт

Производитель ONSEMI
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус D2PAK
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 53Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Заряд затвора 17нC
Выбрано: Показать
Ток стока -8,05А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -60В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,175Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±25В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -45,6А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±25V
Выбрано: Показать
Вес 1.5g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти