FQB11P06TM

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+30 баллов
  • Условия
    Минимально 6 и кратно 6
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FQB11P06TM
  • Производитель
    ONSEMI
Вы можете запросить у нас любое количество FQB11P06TM, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FQB11P06TM описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,05А; Idm: -45,6А; 53Вт

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    53Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    17нC
  • Ток стока
    -8,05А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    175мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±25В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -45,6А
  • Вес
    1.5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация