FDG6322C

FDG6322C
FDG6322C
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+29 баллов
  • Условия
    Минимально 17 и кратно 17
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FDG6322C
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 301.51 KB
Вы можете запросить у нас любое количество FDG6322C, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FDG6322C описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 25/-25В

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70-6
  • Рассеиваемая мощность
    0,3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    PowerTrench®
  • Заряд затвора
    0,4/1,5нC
  • Ток стока
    0,22/0,41А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    25/-25В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7/1,9Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±8/±8В
  • Вид транзистора
    дополнительная пара
  • Вес
    0.016g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:
UUX1C101MNL1GS
UUX1C101MNL1GS
Подробнее
SN74LVC1G139DCUT
SN74LVC1G139DCUT
Подробнее
BAS21DW5T1G
BAS21DW5T1G
Подробнее
THD-W2-V
THD-W2-V
Подробнее
IS25WP064A-JBLE
IS25WP064A-JBLE
Подробнее

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text