Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

FDG6306P

FDG6306P

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

FDG6306P

Производитель

Техническое описание

Купить FDG6306P от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

FDG6306P описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,6А; 0,3Вт; SC70-6

Производитель ON SEMICONDUCTOR
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SOT363
Выбрано: Показать
Корпус SC70-6
Выбрано: Показать
Корпус SC88
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 0,3Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология PowerTrench®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 2нC
Выбрано: Показать
Ток стока -600мА
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,4Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±12В
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Вес 0.019g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти