FDC6506P

FDC6506P
FDC6506P
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    FDC6506P
  • Производитель
    ONSEMI
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 64.84 KB
Вы можете запросить у нас любое количество FDC6506P, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

FDC6506P описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,8А; 0,96Вт; SuperSOT-6

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SuperSOT-6
  • Рассеиваемая мощность
    0,96Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    PowerTrench®
  • Заряд затвора
    3,5нC
  • Ток стока
    -1,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    280мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вес
    0.187g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:
19381350M
19381350M
Подробнее
T55D107M010C0055
T55D107M010C0055
Подробнее
1887212-1
1887212-1
Подробнее
0095400238100
0095400238100
Подробнее
IRFR430ATRLPBF
IRFR430ATRLPBF
Подробнее

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text