EM6J1T2R

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3484 шт
Количество Цена
1 137 ₽
50 62 ₽
500 41 ₽
24000 24.7 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    EM6J1T2R
  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
EM6J1T2R от 24.7 рублей в наличии 3484 шт производства ROHM SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

EM6J1T2R описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт

  • Производитель
    ROHM SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT563
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    0,15Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    1,4нC
  • Ток стока
    0,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    9,6Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±10В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -0,8А
  • Gate-source voltage
    ±10V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация