Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13
DMN63D8LDW-13
  • DMN63D8LDW-13
  • DMN63D8LDW-13

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 270 шт
Количество Цена ₽ /шт
5 69
100 26.5
Добавить 5 шт. на ₽
В корзину
От 5 шт.
Доступно 270 шт.

Условия

  • Минимально 5 и кратно 5
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

DMN63D8LDW-13

Производитель

Техническое описание

Купить DMN63D8LDW-13 от 5 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

DMN63D8LDW-13 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,17А; Idm: 0,8А; 0,4Вт

Производитель DIODES INCORPORATED
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SOT363
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 0,4Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки катушка 13 дюймов
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Ток стока 0,17А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 4,5Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 0,8А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.006g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти