DMN26D0UFB4-7

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
Вы можете запросить у нас любое количество DMN26D0UFB4-7, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

DMN26D0UFB4-7 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,18А; 0,35Вт; X1-DFN1006-3

  • Производитель
    DIODES INCORPORATED
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    X1-DFN1006-3
  • Рассеиваемая мощность
    0,35Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Ток стока
    0,18А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    6Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±10В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация