BR25G512FJ-3GE2

BR25G512FJ-3GE2

нет в наличии

Количество	Цена
1	176 ₽
25	162 ₽
100	155 ₽
500	146 ₽
2500	119 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
BR25G512FJ-3GE2
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR

Вы можете запросить у нас любое количество BR25G512FJ-3GE2, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

BR25G512FJ-3GE2 описание и характеристики

IC: EEPROM memory; 512kbEEPROM; SPI; 64kx8bit; 10MHz; SOP-J8

Вы смотрели:

Подробнее

Подробнее

PIC32MX130F064DT-I/PT

Подробнее

Подробнее

929838-01-10-RK

Подробнее

Похожие товары

IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

+1098 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+50 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+47 баллов

Подробнее

11AA02E48T-I/TT

11AA02E48T-I/TT

IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SOT23-3

+1290 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+1230 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+810 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

+1332 балла

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

+1458 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; SO8

+975 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 512x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; DIP8

+1296 баллов

Подробнее

IC: память EEPROM; UNI/O; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; DIP8

+1458 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text