B3M040120R

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество B3M040120R, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

B3M040120R описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 44A; Idm: 108A; 300W

  • Производитель
    BASiC SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TO263-7
  • Рассеиваемая мощность
    300Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Заряд затвора
    87нC
  • Ток стока
    44А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    40мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    108А
  • Gate-source voltage
    -5...18В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация