B3M040120H

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 198 шт
Количество Цена
1 523 ₽
10 470 ₽
30 415 ₽
120 374 ₽
300 349 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+52 балла
B3M040120H от 349 рублей в наличии 198 шт производства BASiC SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

B3M040120H описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W

  • Производитель
    BASiC SEMICONDUCTOR
  • Вид канала
    обогащенный
  • Полярность
    полевой
  • Gate-source voltage
    -4...18В
  • Заряд затвора
    85нC
  • Сопротивление в открытом состоянии
    40мОм
  • Ток стока
    45А
  • Ток стока в импульсном режиме
    124А
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Рассеиваемая мощность
    312Вт
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Технология
    SiC
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-3
  • Вид упаковки
    туба
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация