B2M035120YP

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+490 баллов
  • Условия
    Минимально 1 шт и кратно 1 шт
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    B2M035120YP
  • Производитель
    BASiC SEMICONDUCTOR
Вы можете запросить у нас любое количество B2M035120YP, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

B2M035120YP описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт

  • Производитель
    BASiC SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247PLUS-4
  • Рассеиваемая мощность
    375Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    туба
  • Технология
    SiC
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    вывод Кельвина
  • Заряд затвора
    115нC
  • Ток стока
    60А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    1,2кВ
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    35мОм
  • Напряжение затвор-исток
    -4...18В
  • Ток стока в импульсном режиме
    190А
  • Вес
    5g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация