AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

нет в наличии

Количество	Цена
1	603 ₽
10	563 ₽
25	546 ₽
40	538 ₽
108	520 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
AS4C64M8D1-5TCN
Производитель
ALLIANCE MEMORY
Техническое описание:

Документация язык EN

Pdf, 2.14 MB

Вы можете запросить у нас любое количество AS4C64M8D1-5TCN, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

AS4C64M8D1-5TCN описание и характеристики

IC: память DRAM; 64Мx8бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток

Смежные товары

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

от 24 263 ₽

+3639 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват

от 24 263 ₽

+3639 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD

от 24 263 ₽

+3639 баллов

Подробнее

Клей для элементов SMD; шприц; 10мл

по запросу

Подробнее

Инструмент: экстрактор микросхем; SMD

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 70мм; Ø: 13мм; ESD

по запросу

Подробнее

Клей для элементов SMD; шприц; 10мл

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 15мм

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

по запросу

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 200МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+39555 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+62767 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+89724 балла

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+105399 баллов

Подробнее

AS4C128M16D3LA-12BCN

AS4C128M16D3LA-12BCN

Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+33106 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BIN

AS4C128M8D3B-12BIN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷85°C

+42181 балл

Подробнее

AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+36227 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; лоток

+26136 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+27288 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток

+11308 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+10854 балла

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text