AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

нет в наличии

Количество	Цена
1	1 147 ₽
10	1 019 ₽
25	971 ₽
40	948 ₽
190	876 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
AS4C4M32S-6BIN
Производитель
ALLIANCE MEMORY
Техническое описание:

Документация язык EN

Pdf, 3.7 MB

Документация язык EN

Pdf, 2.14 MB

все файлы

Вы можете запросить у нас любое количество AS4C4M32S-6BIN, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

AS4C4M32S-6BIN описание и характеристики

IC: память DRAM; 4Mx32бит; 3÷3,6В; 166МГц; 6,5нс; TFBGA90; -40÷85°C

Смежные товары

Инструмент: вакуумный захват

от 30 055 ₽

+9017 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

от 30 055 ₽

+9017 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD

от 30 055 ₽

+9017 баллов

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 15мм

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 150мм; Ø: 14мм; ESD

по запросу

Подробнее

Клей для элементов SMD; шприц; 10мл

по запросу

Подробнее

Инструмент: экстрактор микросхем; SMD

по запросу

Подробнее

Инструмент: вакуумный захват; SMD; L: 70мм; Ø: 13мм; ESD

по запросу

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 200МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+94313 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+177803 балла

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+68907 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+10476 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+60264 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток

+79704 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+227837 баллов

Подробнее

AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+37745 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C

+12701 балл

Подробнее

AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C

+56400 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток

+12247 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54; -40÷85°C

+66225 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text