AS4C4M32D1A-5BCN

AS4C4M32D1A-5BCN

нет в наличии

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 189

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
AS4C4M32D1A-5BCN
Производитель
ALLIANCE MEMORY
Техническое описание:

Документация язык EN

Pdf, 2.14 MB

Вы можете запросить у нас любое количество AS4C4M32D1A-5BCN, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

AS4C4M32D1A-5BCN описание и характеристики

IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; 0÷70°C; лоток

Смежные товары

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; черный; L: 27,9мм; W: 27,9мм

+18252 балла

Подробнее

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; черный; L: 35мм; W: 35мм

+18252 балла

Подробнее

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; черный; L: 21мм; W: 21мм

+18252 балла

Подробнее

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; черный; L: 21мм; W: 21мм

+18252 балла

Подробнее

ATS-53400D-C1-R0

ATS-53400D-C1-R0

Радиатор: подключаемые; ребристый; BGA; черный; L: 40мм; W: 40мм

+18252 балла

Подробнее

ATS-53230D-C1-R0

ATS-53230D-C1-R0

Радиатор: подключаемые; ребристый; BGA; черный; L: 23мм; W: 23мм

+18252 балла

Подробнее

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; черный; L: 40,5мм; W: 40,5мм

+18252 балла

Подробнее

ATS-53310R-C1-R0

ATS-53310R-C1-R0

Радиатор: подключаемые; ребристый; BGA; черный; L: 31мм; W: 31мм

+18252 балла

Подробнее

902-21-2-12-2-B-0

902-21-2-12-2-B-0

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; черный; L: 21мм; W: 21мм

+18252 балла

Подробнее

ATS-52170P-C1-R0

ATS-52170P-C1-R0

Радиатор: штампованный; ребристый; BGA; синий; L: 17мм; W: 31,94мм

+18252 балла

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 200МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+110325 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+446 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+77905 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+91793 балла

Подробнее

AS4C128M16D3LA-12BCN

AS4C128M16D3LA-12BCN

Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C

+2546 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+1562 балла

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BIN

AS4C128M8D3B-12BIN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷85°C

+45920 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+93218 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; лоток

+66744 балла

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+70632 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток

+45522 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+68121 балл

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text