AFGB40T65RQDN

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1759 шт
Количество Цена
1 945 ₽
10 626 ₽
100 445 ₽
500 386 ₽
800 386 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+57 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    AFGB40T65RQDN
  • Производитель
    ONSEMI
AFGB40T65RQDN от 386 рублей в наличии 1759 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

AFGB40T65RQDN описание и характеристики

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 169.68W; D2PAK; automotive industry

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    169,68Вт
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    integrated anti-parallel diode
  • Заряд затвора
    51нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    650В
  • Ток коллектора
    40А
  • Ток коллектора в импульсе
    160А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация