AFGB30T65SQDN

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    AFGB30T65SQDN
  • Производитель
    ONSEMI
Вы можете запросить у нас любое количество AFGB30T65SQDN, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

AFGB30T65SQDN описание и характеристики

Transistor: IGBT; 650V; 30A; 110W; D2PAK; automotive industry

  • Производитель
    ONSEMI
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Рассеиваемая мощность
    110Вт
  • Применение
    автомобильная отрасль
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    integrated anti-parallel diode
  • Заряд затвора
    56нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    650В
  • Ток коллектора
    30А
  • Ток коллектора в импульсе
    120А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация