A1P50S65M2

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество A1P50S65M2, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

A1P50S65M2 описание и характеристики

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А

  • Рассеиваемая мощность
    208Вт
  • Применение
    двигатели
  • Применение
    инвертор
  • Ток коллектора в импульсе
    100А
  • Механический монтаж
    винтами
  • Обратное напряжение макс.
    650В
  • Электрический монтаж
    Press-in PCB
  • Тип модуля
    IGBT
  • Конструкция диода
    транзистор/транзистор
  • Корпус
    ACEPACK™1
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Ток коллектора
    50А
  • Производитель
    STMicroelectronics
  • Топология
    полумост IGBT x3
  • Топология
    термистор NTC
  • Вес
    50g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация