IS43R32400E-5BL

IS43R32400E-5BL

нет в наличии

Количество	Цена
1	1 089 ₽
10	994 ₽
25	975 ₽
50	969 ₽
100	881 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
43R32400E-5BL
Производитель
ISSI
Техническое описание:

Документация язык EN

Pdf, 1.32 MB

Вы можете запросить у нас любое количество IS43R32400E-5BL, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

43R32400E-5BL описание и характеристики

IC: DRAM memory; 1Mx32bitx4; 200MHz; 5ns; LFBGA144; 0÷70°C; 2.5VDC

Вы смотрели:

Подробнее

Подробнее

Подробнее

IS42SM32400H-6BLI

Подробнее

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+64832 балла

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+64550 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+75836 баллов

Подробнее

AS4C128M16D3LA-12BCN

AS4C128M16D3LA-12BCN

Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C

+1883 балла

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+34195 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BIN

AS4C128M8D3B-12BIN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷85°C

+43560 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+37425 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; лоток

+25344 балла

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+28188 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+11210 баллов

Подробнее

AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+18716 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C

+1038 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text