IS43DR86400E-3DBL

IS43DR86400E-3DBL

нет в наличии

Количество	Цена
1	1 179 ₽
10	1 078 ₽
25	1 058 ₽
100	943 ₽
242	938 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
43DR86400E-3DBL
Производитель
ISSI
Техническое описание:

Документация язык EN

Pdf, 1.18 MB

Вы можете запросить у нас любое количество IS43DR86400E-3DBL, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

43DR86400E-3DBL описание и характеристики

IC: DRAM memory; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60; 0÷85°C

Вы смотрели:

Подробнее

Подробнее

B57820M0561A005

Подробнее

357B0102MAB251S22

Подробнее

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BCN

AS4C128M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 200МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+94313 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+177803 балла

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+68907 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+60264 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TCN

AS4C16M16D1A-5TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; лоток

+79704 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+227837 баллов

Подробнее

AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+37745 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C

+12134 балла

Подробнее

AS4C16M16SA-6TCNTR

AS4C16M16SA-6TCNTR

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C

+56400 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-6TIN

AS4C16M16SA-6TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток

+12101 балл

Подробнее

AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54; -40÷85°C

+66225 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C

+10724 балла

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text