MTA36ASF4G72PZ-3G2R1

MTA36ASF4G72PZ-3G2R1

нет в наличии

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 100

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
36ASF4G72PZ-3G2R1
Производитель
MICRON TECHNOLOGY

Вы можете запросить у нас любое количество MTA36ASF4G72PZ-3G2R1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

36ASF4G72PZ-3G2R1 описание и характеристики

IC: DRAM memory; 32GBDRAM; 4Gx72; 0.62ns; 0÷95°C

Производитель

MICRON TECHNOLOGY
Рабочая температура

0...95°C
Тип микросхемы

память DRAM
Вид памяти

DDR4 RDIMM 288-pin
Время доступа

0,62нс
Структура памяти

4Gx72бит
Memory

32ГБ DRAM
Вес

21.52g

Бесплатная доставка

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

+7 (499) 677-21-46

info@tmelectronics.ru

Вы смотрели:

MT41K128M16JT-107:K

Подробнее

MT41K256M8DA-125:K TR

Подробнее

MT53E768M16D1ZW-046 WT:C

Подробнее

MT41K128M8DA-107:J

Подробнее

MTFC64GBCAQTC-IT

Подробнее

Похожие товары

AS4C128M16D2-25BIN

AS4C128M16D2-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+63958 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BCN

AS4C128M16D2A-25BCN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+67810 баллов

Подробнее

AS4C128M16D2A-25BIN

AS4C128M16D2A-25BIN

IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷85°C

+79660 баллов

Подробнее

AS4C128M16D3LA-12BCN

AS4C128M16D3LA-12BCN

Память DRAM; 128Мx16бит; 1,35В; 800МГц; FBGA96; 0÷70°C

+1977 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BCN

AS4C128M8D3B-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+33723 балла

Подробнее

AS4C128M8D3B-12BIN

AS4C128M8D3B-12BIN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; -40÷85°C

+42979 баллов

Подробнее

AS4C128M8D3LB-12BCN

AS4C128M8D3LB-12BCN

IC: память DRAM; 128Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA78; 0÷70°C

+36917 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BCN

AS4C16M16D1-5BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; 0÷70°C; лоток

+26640 баллов

Подробнее

AS4C16M16D1-5BIN

AS4C16M16D1-5BIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; -40÷85°C; лоток

+27792 балла

Подробнее

AS4C16M16D1A-5TIN

AS4C16M16D1A-5TIN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C

+11065 баллов

Подробнее

AS4C16M16D2-25BCN

AS4C16M16D2-25BCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; 0÷70°C

+18465 баллов

Подробнее

AS4C16M16SA-6TCN

AS4C16M16SA-6TCN

IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C

+1023 балла

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?

Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск

Определить местоположение

alt text