FQP34N20 — N‑канальный силовой MOSFET‑транзистор производства ON Semiconductor (серия QFET®). Предназначен для высокоэффективных силовых приложений: импульсных источников питания (SMPS); корректоров коэффициента мощности (PFC); электронных балластов ламп; преобразователей DC/DC и AC/DC. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, высокой скоростью переключения и устойчивостью к лавинным перенапряжениям.
Основные характеристики:
1. Тип транзистора: N‑канальный MOSFET (Enhancement‑Mode).
2. Напряжение сток‑исток: 200 В.
3. Ток стока: 20 А.
4. Сопротивление в открытом состоянии: 75мОм.
5 Рассеиваемая мощность: 180Вт.
Ключевые особенности и преимущества:
- низкое сопротивление в открытом состоянии 75 мОм — снижение потерь проводимости и нагрев;
- малый заряд затвора — быстрые переключения и низкие потери на управление;
- 100 % тестирование на лавинную прочность — надёжность при переходных процессах;
- широкий диапазон рабочих температур (−55 … +175 °C) — применимость в жёстких условиях;
- корпус TO220-3 — удобство монтажа и теплоотвода;
- совместимость с драйверами — стандартные уровни управления затвором.
Область применения FQP34N20:
1. Источники питания: импульсные БП (SMPS); корректоры коэффициента мощности (PFC).
2. Преобразователи энергии: DC/DC‑конвертеры; инверторы.
3. Осветительные системы: электронные балласты для ламп.
4. Промышленная автоматика: управление двигателями; силовые ключи в реле и контакторах.
5. Телекоммуникационное оборудование: вторичные источники питания.
Транзистор FQP34N20 — оптимальный выбор для силовых приложений, где требуются: низкие потери проводимости; быстрые переключения; надёжность при перегрузках; работа в широком температурном диапазоне.
