Современный рынок транзисторов предлагает потребителям самые различные варианты для решения определённых задач. Особого внимания заслуживает линейка высокопроизводительных транзисторов FET UNITEDSIC. Данные устройства характеризуются каскадной конфигурацией и были созданы с использованием технологии SiC.
Конструкция прибора представляет собой уникальный и максимально удобный в приложениях переключающийся каскад, который основан на соединённых между собой транзисторе JFET и транзисторе Si-Mosfet. Благодаря присущим устройству свойствам, применение оно нашло в высокочастотных приложениях, а так же может использоваться в нестандартных термических условиях.
Большим спросом производительные переключающиеся транзисторы у покупателей пользуются из-за:
- низкого сопротивления в состоянии включения;
- способности функционирования при температуре до 175 градусов Цельсия;
- скоростного включения;
- низкой ёмкости перехода;
- минимального внутреннего термического сопротивления;
- значения обратного напряжения в размере до 650В;
- наличия внутренней защиты ESD.
UF3C065040K3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 40А
UJ3C065030T3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 62А
UJ3C065080T3S Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; SiC; полевой; каскодный; 650В; 23А
